EUV光刻機（極紫外光微影，Extreme Ultraviolet Lithography）是目前最先進的半導體製造技術，使用 13.5 奈米波長光源，主要用於 7 奈米、5 奈米、3 奈米及更先進的晶片製程。ASML 艾司摩爾 獨家生產此技術所需的EUV曝光機，透過高功率雷射轟擊錫滴產生電漿來生成光源，是製造高效能AI與智慧型手機晶片的關鍵。

 

EUV光刻機（極紫外光微影，Extreme Ultraviolet Lithography）是目前最先進的半導體製造技術，使用 13.5 奈米波長光源，主要用於 7 奈米、5 奈米、3 奈米及更先進的晶片製程。ASML 艾司摩爾 獨家生產此技術所需的EUV曝光機，透過高功率雷射轟擊錫滴產生電漿來生成光源，是製造高效能AI與智慧型手機晶片的關鍵。 

以下為EUV技術的關鍵要點：

技術核心： 相較於舊的深紫外光（DUV, 193nm），EUV波長極短（13.5nm），能刻劃出更細小的電晶體結構，提升晶片效能與功耗比。

技術難度： 因為 13.5nm 光線會被空氣吸收，EUV機台必須在真空環境下運行，且所有光學元件必須使用特殊反射鏡，而非透鏡。

關鍵設備： 目前全球唯一能生產EUV光刻機的廠商為荷蘭的 ASML，單台機器價格昂貴且結構極其複雜。

應用領域： 廣泛應用於先進邏輯晶片、高效能運算（HPC）、人工智能（AI）晶片以及先進的記憶體製造。

未來發展： 下一代技術為高數值孔徑 EUV（High-NA EUV），旨在進一步提升解析度以滿足 2 奈米以下的製程需求。 

EUV 技術在 2020 年代起成為推動摩爾定律延續的關鍵，是頂尖半導體製造商如台積電（TSMC）、英特爾（Intel）、三星（Samsung）進行高端競爭的核心技術